Copy Back Program 多平面（Multi-Plane）操作进一步扩展了单平面 Copy Back 功能。这样，你可以同时在多个平面上执行 Copy Back 指令，进一步提高数据移动效率。举个例子，如果你要将数据从一个块的平面 A 复制到另一个块的平面 A，同时从平面 B 复制到另一个平面 B，那么多平面的 Copy Back Program 会让这些操作可以同时进行。

使用 Multi-Plane Copy Back Program 的大致流程如下所示：

1. 发送一个 Multi-Plane Copy Back Read 命令来准备要复制的源页（源平面 A 和 B）。
2. 发送源页的地址。
3. 等待 NAND Flash 复制源页数据到其内部缓存。
4. 发送一个 Multi-Plane Copy Back Program 命令来开始对目标页（目标平面 A 和 B）的编程。
5. 发送目标页的地址。
6. 最后，发送一个程序执行命令来完成数据的写入。

以下是对应的示例伪代码：

// 假定命令
#define MULTI_PLANE_COPY_BACK_READ      0x00 // 读取准备复制的页（多平面）
#define MULTI_PLANE_COPY_BACK_PROGRAM   0x8C // 程序准备复制的数据到新的页（多平面）
#define PAGE_PROGRAM_EXECUTE_COMMAND    0x10

void multiPlaneCopyBackProgram(uint32_t source_planeA, uint32_t source_planeB, uint32_t dest_planeA, uint32_t dest_planeB) {
    // 准备要复制的源页（平面 A 和 B）
    sendCommand(MULTI_PLANE_COPY_BACK_READ);
    sendAddress(source_planeA);
    sendAddress(source_planeB);
    waitUntilReady(); // 等待 NAND Flash 准备好

    // 如果需要，读取状态以确认数据已被复制到内部缓存

    // 开始对目标页的编程（平面 A 和 B）
    sendCommand(MULTI_PLANE_COPY_BACK_PROGRAM);
    sendAddress(dest_planeA);
    sendAddress(dest_planeB);
    sendCommand(PAGE_PROGRAM_EXECUTE_COMMAND);
    waitUntilReady(); // 等待编程完成
}

由于 NAND Flash 芯片之间存在差异，这里给出的伪代码只是一个示例。具体的命令序列、地址列出方法和状态检查程序需要根据所使用的 NAND Flash 芯片特定的技术规范进行开发。

这种多平面操作技术在大容量存储解决方案中非常常见，能够显著提升 NAND Flash 的性能，尤其在需要频繁执行大量数据重写或数据迁移的情形下。在开发支持多平面操作的系统时，关键是了解 NAND Flash 芯片的细节和准确地实现支持的命令集。